Характеристики
Основные характеристики
Производитель: Samsung
Линейка
Модель: M425R1GB4BB0-CWM
Тип оборудования: Оперативная память
Частота (MHz): DDR5 - 5600
Тип памяти DDR: DDR5
Тип памяти: SO-DIMM
Объем одного модуля (ГБ): 8
Количество модулей в комплекте (шт): 1
Общий объем памяти (ГБ): 8
Пропускная способность (МБ/с): 44800
Поддержка ECC: Нет
Поддержка Reg: Нет
Низкопрофильная: нет
Количество чипов на модуле
Количество контактов: 262
Тайминги
CAS Latency (CL)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Row Precharge Delay (tRP)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Тайминги
Охлаждение
Радиатор: Нет
Поддержка водяного охлаждения
Дополнительные характеристики
Цвет
Подсветка: нет
Напряжение (В): 1.1
Нормальная операционная температура (Tcase)
Расширенная операционная температура (Tcase)
Компоновка чипов на модуле
Чип
Потребление энергии
Габариты (мм)
Высота (мм)
Вес (грамм)
Дополнительная информация
масса(кг): 0.01
сайт производителя: http://www.samsung.com/
гарантия: 3 года
ширина(см): 0.1
длина(см): 6.7
manufacturerCountry: Китай
высота(см): 3
GTIN: 00000000000000
pictureID: 589644
описание: Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
partNumber: M425R1GB4BB0-CWM
id: 11010301
gtdNumber: 10005030/110225/5033418/011
rusName: [Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
название: Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM