Артикул: 11010301
2 948 р.
В наличии более 10 шт.

Характеристики

Основные характеристики

Производитель: Samsung

Линейка

Модель: M425R1GB4BB0-CWM

Тип оборудования: Оперативная память

Частота (MHz): DDR5 - 5600

Тип памяти DDR: DDR5

Тип памяти: SO-DIMM

Объем одного модуля (ГБ): 8

Количество модулей в комплекте (шт): 1

Общий объем памяти (ГБ): 8

Пропускная способность (МБ/с): 44800

Поддержка ECC: Нет

Поддержка Reg: Нет

Низкопрофильная: нет

Количество чипов на модуле

Количество контактов: 262

Тайминги

CAS Latency (CL)

RAS to CAS Delay (tRCD)

Row Precharge Delay (tRP)

Activate to Precharge Delay (tRAS)

Тайминги

Охлаждение

Радиатор: Нет

Поддержка водяного охлаждения

Дополнительные характеристики

Цвет

Подсветка: нет

Напряжение (В): 1.1

Нормальная операционная температура (Tcase)

Расширенная операционная температура (Tcase)

Компоновка чипов на модуле

Чип

Потребление энергии

Габариты (мм)

Высота (мм)

Вес (грамм)

Дополнительная информация

масса(кг): 0.01

сайт производителя: http://www.samsung.com/

гарантия: 3 года

ширина(см): 0.1

длина(см): 6.7

manufacturerCountry: Китай

высота(см): 3

GTIN: 00000000000000

pictureID: 589644

описание: Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung

partNumber: M425R1GB4BB0-CWM

id: 11010301

gtdNumber: 10005030/110225/5033418/011

rusName: [Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

название: Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Ваш отзыв может стать первым.

Рекомендуем также

Просмотренные товары