Артикул: 11003847
р.
В наличии более 10 шт.

Характеристики

Основные характеристики

Производитель: Samsung

Линейка: -

Модель: M471A2G43CB2-CWE

Тип оборудования: Оперативная память

Частота (MHz): DDR4 - 3200

Тип памяти DDR: DDR4

Тип памяти: SO-DIMM

Объем одного модуля (ГБ): 16

Количество модулей в комплекте (шт): 1

Общий объем памяти (ГБ): 16

Пропускная способность (МБ/с): 25600

Поддержка ECC: Нет

Поддержка Reg: Нет

Низкопрофильная: нет

Количество чипов на модуле: -

Количество контактов: 260

Тайминги

CAS Latency (CL)

RAS to CAS Delay (tRCD): -

Row Precharge Delay (tRP): -

Activate to Precharge Delay (tRAS): -

Тайминги

Охлаждение

Радиатор: Нет

Поддержка водяного охлаждения: Нет

Дополнительные характеристики

Цвет

Подсветка: нет

Напряжение (В): 1.2

Нормальная операционная температура (Tcase): -

Расширенная операционная температура (Tcase): -

Компоновка чипов на модуле

Чип: -

Потребление энергии: -

Габариты (мм): -

Высота (мм): -

Вес (грамм): -

Дополнительная информация: -

ширина(см): 0.2

manufacturerCountry: Корея, республика

описание: Оперативная память M471A2G43CB2-CWE от Samsung

длина(см): 7

высота(см): 3

gtdNumber: 10005030/030424/3074440/013

масса(кг): 0.02

rusName: [Модуль памяти] Samsung DDR4 16GB UNB SODIMM 3200 1Rx8, 1.2V M471A2G43CB2-CWE

сайт производителя: http://semiconductor.samsung.com

pictureID: 585566

id: 11003847

гарантия: 3 года

GTIN: 00000000000000

название: Samsung DDR4 16GB UNB SODIMM 3200 1Rx8, 1.2V M471A2G43CB2-CWE

partNumber: M471A2G43CB2-CWE

Ваш отзыв может стать первым.

Рекомендуем также

Просмотренные товары