Характеристики
Основные характеристики
Производитель: Samsung
Линейка: -
Модель: M471A2G43CB2-CWE
Тип оборудования: Оперативная память
Частота (MHz): DDR4 - 3200
Тип памяти: SO-DIMM
Объем одного модуля (ГБ): 16
Количество модулей в комплекте (шт): 1
Общий объем памяти (ГБ): 16
Пропускная способность (МБ/с): 25600
Поддержка ECC: Нет
Поддержка Reg: Нет
Низкопрофильная: нет
Количество чипов на модуле: -
Количество контактов: 260
Тайминги
CAS Latency (CL)
RAS to CAS Delay (tRCD): -
Row Precharge Delay (tRP): -
Activate to Precharge Delay (tRAS): -
Тайминги
Охлаждение
Радиатор: Нет
Поддержка водяного охлаждения: Нет
Дополнительные характеристики
Цвет
Подсветка: нет
Напряжение (В): 1.2
Нормальная операционная температура (Tcase): -
Расширенная операционная температура (Tcase): -
Компоновка чипов на модуле
Чип: -
Потребление энергии: -
Габариты (мм): -
Высота (мм): -
Вес (грамм): -
Дополнительная информация: -
ширина(см): 0.2
manufacturerCountry: Корея, республика
описание: Оперативная память M471A2G43CB2-CWE от Samsung
длина(см): 7
высота(см): 3
gtdNumber: 10005030/100124/3002598/014
масса(кг): 0.02
rusName: [Модуль памяти] Samsung DDR4 16GB UNB SODIMM 3200 1Rx8, 1.2V M471A2G43CB2-CWE
сайт производителя: http://semiconductor.samsung.com
pictureID: 585566
id: 11003847
гарантия: 3 года
GTIN: 00000000000000
название: Samsung DDR4 16GB UNB SODIMM 3200 1Rx8, 1.2V M471A2G43CB2-CWE
partNumber: M471A2G43CB2-CWE