Характеристики
Основные характеристики
Производитель: Samsung
Линейка
Модель: M323R1GB4DB0-CWM
Тип оборудования: Оперативная память
Частота (MHz): DDR4 - 4800
Тип модуля: DIMM
Объем одного модуля (ГБ): 8
Количество модулей в комплекте (шт): 1
Общий объем памяти (ГБ): 8
Пропускная способность (МБ/с): 38400
Поддержка ECC: Нет
Поддержка Reg: Нет
Низкопрофильная: нет
Количество чипов на модуле
Количество контактов: 288
Тайминги
CAS Latency (CL): 40
RAS to CAS Delay (tRCD)
Row Precharge Delay (tRP)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Тайминги
Охлаждение
Радиатор: Нет
Поддержка водяного охлаждения
Дополнительные характеристики
Цвет
Подсветка: нет
Напряжение (В): 1.1
Нормальная операционная температура (Tcase)
Расширенная операционная температура (Tcase)
Компоновка чипов на модуле
Чип
Потребление энергии
Габариты (мм)
Высота (мм)
Вес (грамм)
Дополнительная информация
ширина(см): 0.1
manufacturerCountry: КОРЕЯ, РЕСПУБЛИКА
описание: Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung
длина(см): 13
высота(см): 3
gtdNumber: 10005030/060424/3076870
масса(кг): 0.025
rusName: [Модуль памяти] Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
сайт производителя: http://semiconductor.samsung.com
pictureID: 587081
id: 11005786
гарантия: 3 года
GTIN: 00000000000000
название: Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
partNumber: M323R1GB4DB0-CWM