Артикул: 11005786
3 773,36 р.
В наличии более 10 шт.

Характеристики

Основные характеристики

Производитель: Samsung

Линейка

Модель: M323R1GB4DB0-CWM

Тип оборудования: Оперативная память

Частота (MHz): DDR4 - 4800

Тип модуля: DIMM

Объем одного модуля (ГБ): 8

Количество модулей в комплекте (шт): 1

Общий объем памяти (ГБ): 8

Пропускная способность (МБ/с): 38400

Поддержка ECC: Нет

Поддержка Reg: Нет

Низкопрофильная: нет

Количество чипов на модуле

Количество контактов: 288

Тайминги

CAS Latency (CL): 40

RAS to CAS Delay (tRCD)

Row Precharge Delay (tRP)

Activate to Precharge Delay (tRAS)

Тайминги

Охлаждение

Радиатор: Нет

Поддержка водяного охлаждения

Дополнительные характеристики

Цвет

Подсветка: нет

Напряжение (В): 1.1

Нормальная операционная температура (Tcase)

Расширенная операционная температура (Tcase)

Компоновка чипов на модуле

Чип

Потребление энергии

Габариты (мм)

Высота (мм)

Вес (грамм)

Дополнительная информация

ширина(см): 0.1

manufacturerCountry: КОРЕЯ, РЕСПУБЛИКА

описание: Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung

длина(см): 13

высота(см): 3

gtdNumber: 10005030/060424/3076870

масса(кг): 0.025

rusName: [Модуль памяти] Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM

сайт производителя: http://semiconductor.samsung.com

pictureID: 587081

id: 11005786

гарантия: 3 года

GTIN: 00000000000000

название: Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM

partNumber: M323R1GB4DB0-CWM

Ваш отзыв может стать первым.

Просмотренные товары